2024/04/30

Taiwan Today

Общество

В тайваньском университете разработана революционная транзисторная технология

09/02/2015
Лидер исследовательской группы ГУЧГ Чэнь Цзэ-мин (в центре) и члены группы Хэ Шэн-цзинь (слева) и Чжуан Бо-жэнь демонстрируют публикацию журнала «Nature Nanotechnology» о разработке ими полностью электрического, полностью полупроводникового спинового полевого транзистора. (Любезно предоставлено ГУЧГ)
Международная группа, ведущими участниками были исследователи в Государственном университете Чэнгун (ГУЧГ), расположенном в Тайнане, на юге Тайваня, разработала первый в мире функциональный спиновый полевой (униполярный) транзистор для обработки информации. Этот транзистор, как прогнозируется, сделает прогресс полупроводниковой технологии более быстрым, чем удвоение мощности компьютера каждые два года в соответствии с законом Мора. Создание этого транзистора широко приветствуется и привлекает к себе значительный интерес со стороны учёных и предпринимателей во всём мире. Как сказал 5 февраля лидер группы доцент Физического факультета ГУЧГ Чэнь Цзэ-мин, спиновый полевой транзистор, идея которого была предложена ещё в 1990 году, считается устройством, способным изменить ход развития информационных технологий. Однако до сих пор эту идею не удавалось материализовать из-за ряда нерешённых технических проблем, отметил он. По словам Чэня, благодаря настойчивости членов группы Чжуан Бо-жэня и Хэ Шэн-цзиня (они оба – соискатели докторской степени, ведущие исследования под его руководством) и исследователей из Кавендишской лаборатории и Университетского колледжа Лондона (Великобритания) решения этих проблем были, в конце концов, найдены. «Нам удалось добиться чисто электрического контроля над вращением электронов, – пояснил Чэнь. – Сейчас мы имеем полностью электрический, полностью полупроводниковый спиновый полевой транзистор. Прежде решения искали с использованием магнитных либо оптических элементов, которые создавали серьёзные помехи включению транзистора в интегральные микросхемы». Полностью совместимый с крупными интегральными микросхемами, новый транзистор, который будет в скором времени запатентован, найдёт, как ожидается, многообразные применения в сфере обработки информации. «В сопоставлении с производимыми компанией Intel чипами нынешнего поколения – 10-нанометрового класса, использующими технологию дополнительных металло-оксидных полупроводников, – сказал Чэнь, – спиновый полевой транзистор способен обеспечить в 1000 раз большую производительность с в 10 раз меньших затратах энергии». Ожидается, что эта разработка, сообщение было впервые опубликовано в онлайновом научном журнале «Nature Nanotechnology» 22 декабря прошлого года, поможет ГУЧГ укрепить взаимодействие с глобальной индустрией интегральных микросхем, суммарный объём производства в которой оценивается в 250 млрд. долл. США.

Популярные материалы

Последние публикации